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論文

Sputter etching of Si substrate to synthesize highly oriented $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ films

五十嵐 慎一; 勝俣 敏伸; 原口 雅晴; 斉藤 健; 山口 憲司; 山本 博之; 北條 喜一

Transactions of the Materials Research Society of Japan, 28(4), p.1153 - 1156, 2003/12

われわれはイオンビームスパッタ蒸着法により、シリコン基板上に$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の作製を行ってきた。薄膜の結晶構造は基板洗浄法に依存し、高配向の$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の作製にはスパッタエッチングが適していることがわかってきた。われわれはスパッタエッチングの条件を変え、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の結晶構造の評価をX線回折法・反射高速電子線回折法により行い、エッチングにおける表面非晶質化が結晶構造に及ぼす影響を明らかにした。非晶質層は高配向膜の形成を妨げる。エッチング後の焼鈍による欠陥回復が、高配向$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜には不可欠であることを明らかにした。

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